Samsung presentará su memoria GDDR6 en el CES, y empezará en los 16 Gb/s


gddr6
La asociación que organiza la feria de electrónica de consumo más importante de la primera mitad del año, el CES de Las Vegas, ha otorgado sus galardones a los productos más innovadores, dos meses antes de que comienze. No tengo muy claro cómo pueden otorgar estos premios con tanta antelación, pero al menos ha servido para dar un anuncio cuanto menos interesante respecto a la próxima memoria de tarjetas gráficas.

Samsung ha recibido uno de estos galardones por su memoria GDDR6, que va a llegar con más velocidad de la inicialmente esperada, ya que partirá de los 16 Gb/s, con un ancho de banda total de estos chips de 64 GB/s. Además, va a funcionar a 1.35 voltios en vez de los 1.5 V a los que funciona la memoria GDDR5 a 8 Gb/s, por lo que habrá un 10 % de ahorro de consumo, a la vez que duplica su velocidad.

La compañía no ha indicado si ya ha empezado a producirla o si llegará en algún producto a principios de 2018, pero al menos se deduce del anuncio que está ya lista prácticamente para ello. Puesto que mantiene arquitectura y procesos de fabricación con respecto a la GDDR5X, la GDDR6 será bastante más barata que la memoria HBM2, aunque consuma más. Pero en el terreno de velocidad y ancho de banda, no parece que HBM2 vaya a aportar una mejora sustancial frente a la GDDR.

SK Hynix anunció a medidados de año que su memoria GDDR6 llegaría inicialmente a una velocidad de 12 y 14 Gb/s, por lo que la velocidad de 16 Gb/s de Samsung adquiere mayor importancia. Combinada con un bus de 384 bits como el incluido en las tarjetas gráficas de gama alta, podría alcanzar un ancho de banda de memoria de 768 GB/s, frente a los 489 GB/s que tienen tarjetas como la GTX 1080 Ti. Aquí es donde recuerdo que Pascal está fuertemente limitada por el ancho de banda de la memoria, por lo que de cara a la generación Volta de gama alta, esta memoria GDDR6 a 16 Gb/s resulta más que interesante, casi imprescindible.

 

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